RAM的一般结构和读写过程1.RAM的一般结构它由三部分电路组成:1)行、列地址译码器:它是一个二进制译码器,将地址码翻译成行列对应的具体地址,然后去选通该地址的存储单元,对该单元中的信息进行读出操作或进行写入新的信息操作。
例如:一个10位的地址码A4A3A2A1A0=00101,B4B3B2B1B0=00011时,则将对应于第5行第3列的存储单元被选中。
2)存储体:它是存放大量二进制信息的“仓库”,该仓库由成千上万个存储单元组成。而每个存储单元存放着一个二进制字信息,二进制字可能是一位的,也可能多位。
存储体或RAM的容量:存储单元的个数*每个存储单元中数据的位数。
例如,一个10位地址的RAM,共有210个存储单元,若每个存储单元存放一位二进制信息,则该RAM的容量就是210(字)×1(位)=1024字位,通常称1K字位(容量)。
3)I/O及读/写控制电路:该部分电路决定着存储器是进行读出信息操作还是写入新信息操作。输入/输出缓冲器起数据的锁存作用,通常采用三态输出的电路结构。因此,RAM可以与其它的外面电路相连接,实现信息的双向传输(即可输入,也可输出),使信息的交换和传递十分方便。
模拟电子技术基础!主讲:王小海。