模拟电子技术基础(4-5)

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时间：2010/11/20

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标签模拟电子技术基础

视频介绍时间：2010/11/20

场效应管及其电路分析场效应管拾电场控制器件。本章介绍场效应晶体管的结构、特性和参数，以及场效应管放大电路。要求学生了解场效应管的结构，导电机理，它的外特性。熟练掌握放大电路的组成原理，能够独立的进行电路分析。场效应管FET（Field Effect Transistor）：具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点。场效应管分类： 1.绝缘栅型IGFET （Insulted Gate Type）或MOS（Metal-Oxide-Semiconductor） 2.增强型MOS （Enhancement） 3.耗尽型MOS （Depletion） 4.结型JFET （Junction Type）每一种又可分为N沟道和P沟道管子。三种基本组态：共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG) 场效应管组成放大电路的原则和方法与晶体管相同：为使场效应管正常工作，各电极间必须加上合适的偏置电压；为了实现不失真放大，也同样需要设置合适且稳定的静态工作点。场效应管是一种电压控制器件，所以它的偏置电路有其自身的特点。不同FET类型对偏置电压的要求：FET偏置电路类型：1.固定偏置电路；2.自偏压偏置电路；3.分压式自偏压电路模拟电子技术基础!主讲：王小海。

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