场效应管及其电路分析
场效应管拾电场控制器件。
本章介绍场效应晶体管的结构、特性和参数,以及场效应管放大电路。
要求学生了解场效应管的结构,导电机理,它的外特性。熟练掌握放大电路的组成原理,能够独立的进行电路分析。
场效应管FET(Field Effect Transistor):具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点。
场效应管分类:
1.绝缘栅型IGFET (Insulted Gate Type)或MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)
2.增强型MOS (Enhancement)
3.耗尽型MOS (Depletion)
4.结型JFET (Junction Type)
每一种又可分为N沟道和P沟道管子。
三种基本组态:共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG)
场效应管组成放大电路的原则和方法与晶体管相同:为使场效应管正常工作,各电极间必须加上合适的偏置电压;为了实现不失真放大,也同样需要设置合适且稳定的静态工作点。场效应管是一种电压控制器件,所以它的偏置电路有其自身的特点。不同FET类型对偏置电压的要求:FET偏置电路类型:1.固定偏置电路;2.自偏压偏置电路;3.分压式自偏压电路
模拟电子技术基础!主讲:王小海。