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闪光法测不良导体热导率_普通物理实验
闪光法测不良导体热导率_普通物理实验
《普通物理实验》录像.介绍了用闪光脉冲非稳态法测不良导体热导率的实验原理、装置及实验过程．给出了两种样品热导率的测量结果．
  1. 2009/10/29
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[第24讲]uC/OS-II的简单应用(4)
[第24讲]uC/OS-II的简单应用(4)
在uC/OS-II里，每个任务都有一个任务控制块(Task Control Block)，这是一个比较复杂的数据结构。在任务控制快的偏移为0的地方，存储着一个指针，它记录了所属任务的专用堆栈地址。事实上，再uC/OS-II内，每个任务都有自己的专用堆栈，彼此之间不能侵犯。这点要求程序员再他们的程序中保证。一般的做法是把他们申明成静态数组。而且要申明成OS_STK类型。
  1. 2009/10/28
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[第23讲]uC/OS-II的简单应用(3)
[第23讲]uC/OS-II的简单应用(3)
本节重点介绍了多任务机制，前面已经说过，uC/OS-II是一种基于优先级的可抢先的多任务内核。那么，它的多任务机制到底如何实现的呢？了解这些原理，可以帮助我们写出更加健壮的代码来。
  1. 2009/10/28
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[第22讲]uC/OS-II的简单应用(2)
[第22讲]uC/OS-II的简单应用(2)
本节重点介绍了多任务机制，前面已经说过，uC/OS-II是一种基于优先级的可抢先的多任务内核。那么，它的多任务机制到底如何实现的呢？了解这些原理，可以帮助我们写出更加健壮的代码来。
  1. 2009/10/28
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[第21讲]uC/OS-II的简单应用(1)
[第21讲]uC/OS-II的简单应用(1)
uC/OS-II是一种基于优先级的可抢先的硬实时内核。自从９２年发布以来，在世界各地都获得了广泛的应用，它是一种专门为嵌入式设备设计的内核，目前已经被移植到４０多种不同结构的CPU上，运行在从８位到６４位的各种系统之上。尤其值得一提的是，该系统自从２.51版本之后，就通过了美国FAA认证，可以运行在诸如航天器等对安全要求极为苛刻的系统之上。鉴于uC/OS-II可以免费获得代码，对于嵌入式RTOS而言，选择uC/OS无疑是最经济的选择。
  1. 2009/10/28
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怎么看电路图1
怎么看电路图1
本教程从看电路图的基本方法和步骤入手，分别讲解了怎样看电动机及生产机械装置电气控制电路图、电力系统图、电子电路图、建筑电气平面图以及可编程序控制器（PC）梯形图和指令语句表，内容系统全面，制作图文并茂，适于农村、乡镇企业电工培训和电工等级考试辅导，也适于广大电气技术人员自学参考。电子技术高级工程师郑凤翼主讲。
  1. 2009/10/28
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[第20讲]USB主从设备(3)
[第20讲]USB主从设备(3)
USB设备的软件设计主要包括两部分：一是USB设备端的单片机软件，主要完成USB协议处理与数据交换以及其它应用功能程序（比如A/D转换、MP3解码等）。二是PC端的程序，由USB通信程序和用户服务程序两部分组成，用户服务程序通过USB通信程序与系统USBDI(USB Device Interface）通信，由系统完成USB协议的处理与数据传输。
  1. 2009/10/28
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[第19讲]USB主从设备(2)
[第19讲]USB主从设备(2)
主机向设备循环发出GetDescriptor(Configuration)请求，以取得其全部配置信息（其个数由设备描述符bNumConfiguration字段指出），包括配置描述符、接口描述符、端点描述符以及各种设备类定义描述符和供应商自定义描述符等。
  1. 2009/10/28
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[第18讲]USB主从设备(1)
[第18讲]USB主从设备(1)
USB具有很多优点，例如即插即用，容易使用，方便携带，传输速度快，可扩展性强，标准统一，价格便宜等等。目前流行的USB设备有移动硬盘，数码相机，MP3，U盘，USB鼠标、键盘、游戏杆，USB MIDI键盘，USB摄相头，USB打印机，USB扫描仪，USB声卡，USB话筒，USB网卡，USB显示器，USB电话，具有USB口的各种仪表仪器等等，只要是能跟电脑打交道的，就基本上可以通过USB来实现，足见USB功能的强大。
  1. 2009/10/28
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[第17讲]NAND flash 读写
[第17讲]NAND flash 读写
NAND FLASH存储器件有非易失、容量大、功耗低、易擦除等特点，这里就涉及到FLASH的种类问题，NORFLASH和NANDFLASH区别在于：NOR的特点是芯片内执行，即应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。但是工艺复杂，价格比较贵。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。
  1. 2009/10/28
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