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数字集成电路的基本单元电路_集成电路原理与设计: 数字集成电路的基本单元电路MOS反相器,甘学温教授主讲.动态逻辑电路的特点。电荷分享过程中的节点电平变化。CMOS反相器的直流特性,CMOS反相器的基本特性,CMOS反相器的直流电压传输特性,CMOS反相器的噪声容限,CMOS反相器的瞬态特性,CMOS反相器的设计,CMOS和NMOS电路性能比较.

2009/10/27
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差分放大器_集成电路原理与设计: 差分放大器_集成电路原理与设计陈中建副教授主进.本节讲述差分放大器简介，简单差分放大器，基本差分放大器，MOS管做负载的差分放大器。差分放大器是一种将两个输入端电压的差以一固定增益放大的电子放大器，有时简称为“差放”。差分放大器通常被用作功率放大器（简称“功放”）和发射极耦合逻辑电路 (ECL, Emitter Coupled Logic) 的输入级。

2009/10/26
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CMOS集成电路闩锁效应_集成电路原理与设计: 集成电路原理与设计贾嵩副教授主讲。CMOS集成电路闩锁效应的行成；防止闩锁效应的措施。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。防御措施：　　1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。　　2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。　　3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。　　4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

2009/10/25
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