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[第3讲] 单管放大电路PCB设计: 单管放大电路PCB设计

2011/7/14
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[第4讲] 单管放大电路原理图设计: 单管放大电路原理图设计

2011/7/14
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模拟电子技术基础(16-17): 功率放大电路的特点和基本类型一、主要特点 1. 由于输出电压或输出电流的幅度较大，功率放大电路必须工作在大信号条件下，因而容易产生非线性失真。如何尽量减小输出信号的失真是首先要考虑的问题。 2. 输出信号功率的能量来源于直流电源，应该考虑转换的效率。 3.半导体器件在大信号条件下运用时，电路中应考虑器件的过热、过流、过压、散热等一系列问题，因此要有适当的保护措施。二、基本类型功率放大电路主要有互补对称式和变压器耦合推挽式两种类型。 1、互补对称式2.变压器耦合推挽式变压器耦合的突出优点是，通过改变变压器的变比，能找到一个最佳的等效负载(此时输出功率最大，且不失真)。并且，在不提高电源电压的条件下，可以使输出电压的幅度Vom超过电源电压。模拟电子技术基础!主讲：王小海。

2010/12/10
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模拟电子技术基础(10-11): 集成运算放大器集成运算放大器是集成运算放大器是通过半导体集成工艺制成的一种高增益直接耦合式多级放大器，它是非常重要的一种线性集成电路，应用十分广泛。它用在模拟信号的运算、放大、检测、变换、处理、信号产生等等场合。本章通过介绍集成运算放大器的典型结构及特点、集成运放的组成、集成运放的特性和主要性能指标等内容，系统地学习集成运算放大器。要求学生熟练掌握本章的内容。运放的典型电路通常有三级放大电路组成。运放输入级：—差分放大(差动放大器)电路，该级要求有低温漂，高共模抑制比和高输入电阻特性。中间放大级：通常采用CE(CS)放大电路，运算放大器的增益主要由这一级承担，所以这一级要有很高的电压增益。输出级：采用互补对称式射极跟随器结构。输出级要求能驱动较大的负载，有一定的输出电流和输出电压，因此，对该级要求具有低输出电阻。二、集成运放的主要特点 1. 它具有“二高一低”特性的线性组件。即高增益、高输入电阻、低输出电阻的多级直接耦合放大器。 2. 为保证有合适的静态工作点，并低功耗，电路采用微电流源作为偏置，放大电路负载采用有源负载，以提高电压增益。 3. 在理想条件下，集成运算放大器可以看成一个电压控制电压源来等效(VCVS)。集成运放的电路符号：模拟电子技术基础!主讲：王小海。

2010/12/3
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模拟电子技术基础(6-7): 三极管放大电路的组成原理一、放大电路的组成与各元件的作用 Rb和Rc：提供适合偏置--发射结正偏，集电结反偏。C1、C2是隔直(耦合)电容，隔直流通交流。射放大电路 Vs ，Rs：信号源电压与内阻； RL：负载电阻，将集电极电流的变化△ic转换为集电极与发射极间的电压变化△VCE 二、放大电路的基本工作原理静态(Vi=0,假设工作在放大状态) 分析，又称直流分析，计算三极管的电流和极间电压值，应采用直流通路(电容开路)。基极电流：IB=IBQ=(VCC-VBEQ)/Rb 集电极电流：IC=ICQ=βIBQ 集-射间电压：VCE=VCEQ=VCC-ICQRc 动态(vi≠0)分析：模拟电子技术基础!主讲：王小海。

2010/11/24
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模拟电子技术基础(4-5): 场效应管及其电路分析场效应管拾电场控制器件。本章介绍场效应晶体管的结构、特性和参数，以及场效应管放大电路。要求学生了解场效应管的结构，导电机理，它的外特性。熟练掌握放大电路的组成原理，能够独立的进行电路分析。场效应管FET（Field Effect Transistor）：具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点。场效应管分类： 1.绝缘栅型IGFET （Insulted Gate Type）或MOS（Metal-Oxide-Semiconductor） 2.增强型MOS （Enhancement） 3.耗尽型MOS （Depletion） 4.结型JFET （Junction Type）每一种又可分为N沟道和P沟道管子。三种基本组态：共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG) 场效应管组成放大电路的原则和方法与晶体管相同：为使场效应管正常工作，各电极间必须加上合适的偏置电压；为了实现不失真放大，也同样需要设置合适且稳定的静态工作点。场效应管是一种电压控制器件，所以它的偏置电路有其自身的特点。不同FET类型对偏置电压的要求：FET偏置电路类型：1.固定偏置电路；2.自偏压偏置电路；3.分压式自偏压电路模拟电子技术基础!主讲：王小海。

2010/11/20
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模拟电子技术基础(2-3): 半导体三极管及其电路分析本章介绍半导体三极管的结构、特性和参数，以及半导体放大电路的组成原理，三极管电压传输特性和静态工作点。要求学生了解晶体三极管的结构，导电机理，它的外特性。熟练掌握放大电路的组成原理，能够独立的进行电路分析。半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由2个背靠背的PN结组成，分为 NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。 NPN型三极管：c：collector 集电极；b：base 基极；e：emitter 发射极!工艺特点：三个区，二个结，引出三根电极杂质浓度(e区掺杂浓度最高，b区较高，c 区最低)；面积大小( c区最大， e区大， b区窄)。 PNP型三极管：在P＋型底层上形成两个PN结。模拟电子技术基础!主讲：王小海。

2010/11/19
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直接耦合放大电路与差动放大电路_电工学(41): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。集成运算放大器是属于模拟集成电路的一种，由于它最初作运算、放大使用(如加法、乘法、除法、积分等)，所以取名为运算放大器。而目前它已广泛应用于信号处理、信号变换及信号发生等各个方面，因此在控制、测量、仪表等领域中占有重要地位。集成运算放大器实际上是一个高增益的多级直接耦合放大电路。本章从集成运算放大电路的主要组成部分—差动放大电路讲起，继而介绍集成运算放大电路的组成、工作原理、主要技术指标及其电路分析的方法，最后介绍集成运算放大器的线性和非线性运用。

2010/5/6
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集成运算放大器_电工学(43): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!集成运算放大器（Integrated Operational Amplifier）简称集成运放，是由多级直接耦合放大电路组成的高增益模拟集成电路。它的增益高（可达60~180dB），输入电阻大（几十千欧至百万兆欧），输出电阻低（几十欧），共模抑制比高（60~170dB），失调与飘移小，而且还具有输入电压为零时输出电压亦为零的特点，适用于正，负两种极性信号的输入和输出。　　模拟集成电路一般是由一块厚约0.2~0.25mm的P型硅片制成，这种硅片是集成电路的基片。基片上可以做出包含有数十个或更多的BJT或FET、电阻和连接导线的电路。

2010/5/4
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差动放大电路_电工学(42): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!差动放大电路又叫差分电路，他不仅能有效的放大直流信号，而且能有效的减小由于电源波动和晶体管随温度变化多引起的零点漂移，因而获得广泛的应用。特别是大量的应用于集成运放电路，他常被用作多级放大器的前置级。　　基本差动放大电路由两个完全对称的共发射极单管放大电路组成，该电路的输入端是两个信号的输入，这两个信号的差值，为电路有效输入信号，电路的输出是对这两个输入信号之差的放大。设想这样一种情景，如果存在干扰信号，会对两个输入信号产生相同的干扰，通过二者之差，干扰信号的有效输入为零，这就达到了抗共模干扰的目的。

2010/5/4
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