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直流他励电动机的调速特性-机电传动控制第7讲: 他励直流电动机有三种调速方法1 、降低电枢电压调速 ———— 基速以下调速2 、电枢电路串电阻调速——3 、弱磁调速——基速以上调速各种调速成方法特点： 1 、降低电枢电压调速，电枢回路必须有可调压的直流电源，电枢回路及励磁回路电阻尽可能小，电压降低转速下降，人为特性硬度不变、运行转速稳定，可无级调速。 2 、电枢回路串电阻调速，人为特性是一族过 n 。的射线，串电阻越大，机械特性越软、转速越不稳定，低速时串电阻大，损耗能量也越多，效率变低。调速范围受负载大小影响，负载大调速范围广，轻载调速范围小。 3 、弱磁调速，一般直流电动机，为避免磁路过饱和只能弱磁不能强磁。电枢电压保持额定值，电枢回路串接电阻减至最小，增加励磁回路电阻 Rf ，励磁电流和磁通减小，电动机转速随即升高，机械特性变软。转速升高时，如负载转矩仍为额定值，则电动机功率将超过额定功率，电动机过载运行、这是不允许的，所以弱磁调速时，随着电动机转速的升高，负载转矩相应减小，属恒功率调速。为避免电动机转子绕组受离心力过大而撤开损坏，弱磁调速时应注意电动机转速不超过允许限度。

2009/11/3
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直流他励电动机的启动特性-机电传动控制第6讲: 直流他励电动机的启动特性 3.5　直流他励电动机的调速特性 3.5.1　改变电枢电路外串电阻Rad 3.5.2　改变电动机电枢供电电压U 3.5.3　改变电动机主磁通 3.6　直流他励电动机的制动特性 3.6.1　反馈制动 3.6.2　反接制动 3.6.3　能耗制动

2009/11/3
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逻辑函数公式化简_数字逻辑电路5: 逻辑函数是逻辑电路的代数表示形式，一般来讲逻辑表达式愈简单其电路也就愈简单，所需要的器件也就愈少，这样既节省了电路的元件同时也提高了电路的可靠性。通常从逻辑问题概括出来的逻辑函数不一定是最简的，所以要求对逻辑函数进行化简，找出最简的表达式，这是逻辑设计的必须步骤，但随着计算机辅助设计软件的使用，其手工进行化简的机会正在下降，但这是一个基础。　　最简的函数表达式的标准是：　　◇表达式中所含项数量最少；　　◇每项中所含变量个数最少。字串9

2009/10/29
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直流电动机的机械特性-机电传动控制第5讲: 直流电动机的机械特性 3.3.1　他励电动机的机械特性 3.3.2　串励电动机的机械特性 3.3.3　复励电动机的机械特性!他励直流电动机的机械特性定义：在电动机的电枢电压、励磁电流、电枢回路电阻为恒值条件下，电机的转速与电磁转矩之间的关系：

2009/10/28
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数字集成电路的基本单元电路_集成电路原理与设计: 数字集成电路的基本单元电路MOS反相器,甘学温教授主讲.动态逻辑电路的特点。电荷分享过程中的节点电平变化。CMOS反相器的直流特性,CMOS反相器的基本特性,CMOS反相器的直流电压传输特性,CMOS反相器的噪声容限,CMOS反相器的瞬态特性,CMOS反相器的设计,CMOS和NMOS电路性能比较.

2009/10/27
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直流电机的工作原理及特性-机电传动控制第4讲: 第3章　直流电机的工作原理及特性 3.1　直流电机的基本结构和工作原理　 3.1.1　直流电机的基本结构 3.1.2　直流电机的基本工作原理 3.2　直流发电机 3.2.1　他励发电机 3.2.2　并励发电机 3.2.3　复励发电机

2009/10/27
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机电传动系统的负载特性-机电传动控制第3讲: 机电传动系统的负载特性 2.3.1　恒转矩型负载特性 2.3.2　离心式通风机型负载特性 2.3.3　直线型负载特性 2.3.4　恒功率型负载特性 2.4　机电传动系统稳定运行的条件

2009/10/26
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标准形式逻辑函数_数字逻辑电路4: 逻辑函数的一般表示形式:1.与或表达式（SOP form) 在函数表达式中，包含若干个与项，每个与项中各变量以原变量或反变量的形式出现，每个与项之间以或的形式相连，这种表达式即与或表达式。2.或与表达式(POS form)一个函数表达式，包含若干个或项，其中每个或项可有一个或多个变量，每个变量以原变量或反变量形式出现，这些或项以逻辑与的形式连在一起，形成了或与表达式。

2009/10/26
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差分放大器_集成电路原理与设计: 差分放大器_集成电路原理与设计陈中建副教授主进.本节讲述差分放大器简介，简单差分放大器，基本差分放大器，MOS管做负载的差分放大器。差分放大器是一种将两个输入端电压的差以一固定增益放大的电子放大器，有时简称为“差放”。差分放大器通常被用作功率放大器（简称“功放”）和发射极耦合逻辑电路 (ECL, Emitter Coupled Logic) 的输入级。

2009/10/26
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CMOS集成电路闩锁效应_集成电路原理与设计: 集成电路原理与设计贾嵩副教授主讲。CMOS集成电路闩锁效应的行成；防止闩锁效应的措施。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。防御措施：　　1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。　　2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。　　3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。　　4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

2009/10/25
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