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第三节:半导体二极管_电子电路基础教程[课件]: 半导体二极管的结构和类型一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来（集成电路则不单独封装），就构成了半导体二极管，简称二极管。半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类查看本课程全部内容

2009/11/7
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第二节:PN结_电子电路基础教程[课件]: PN结的形成1、 PN结的构成在一块半导体中一侧掺入P型杂质，另一侧掺入N型杂质。此时：P型半导体中含有受主杂质，在室温下，受主杂质电离为带正电的空穴和带负电的受主离子。N型半导体中含有施主杂质，在室温下，施主杂质电离为带负电的自由电子和带正电的施主离子。半导体中的正负电荷数相等，它们的作用相互抵消，保持电中性。查看本课程全部内容

2009/11/5
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第一章：半导体基本知识_电子电路基础教程[课件]: 一. 半导体 .物质由中性的原子组成，原子是由带正电的原子核和带负电的绕着原子核运动的电子所组成。 .根据物质的导电性，可分为导体、绝缘体和半导体。导体：日常生活中金属、水等,半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间，如锗、硅、砷化镓等，绝缘体：塑料、陶瓷、橡胶等。查看本课程全部内容

2009/11/5
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CMOS集成电路闩锁效应_集成电路原理与设计: 集成电路原理与设计贾嵩副教授主讲。CMOS集成电路闩锁效应的行成；防止闩锁效应的措施。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。防御措施：　　1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。　　2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。　　3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。　　4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

2009/10/25
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集成运算放大器---上海交通大学电子实验中心多媒体课件: 一、实验目的： 1．通过对集成运算放大器μA741参数的测试，了解集成运算放大器组件主要参数的定义和表示方法。 2．掌握运算放大器主要参数的测试方法。二、实验原理：集成运算放大器是一种使用广泛的线性集成电路器件，和其它电子器件一样，其特性是通过性能参数来表示的。集成电路生产厂家为描述其生产的集成电路器件的特性，通过大量的测试，为各种型号的集成电路制定了性能指标。符合指标的就是合格产品，否则就是不合格产品。要能够正确使用集成电路器件，就必须了解集成电路各项参数的含义及数值范围。集成电路的性能指标可以从产品说明书或器件手册查到，因此，我们必须学会看产品说明书和查阅器件手册。由于集成电路是半导体器件，而半导体器件的性能参数常常有较大的离散性，因此，我们还必须掌握各项参数的测试方法，这样才能保证在电路中使用的器件是合格产品，满足电路设计的需要。运算放大器的性能参数可以使用专用的测试仪器进行测试（“运算放大器性能参数测试仪”），也可以根据参数的定义，采用一些简易的方法进行测试。本次实验是学习使用常规仪表，对运算放大器的一些重要参数进行简易测试的方法。

2009/10/23
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三相异步电动机变频调速实验_上海交大: 丁祝伟工程师,三相异步电动机变频调速实验.变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式（VVVF变频或矢量控制变频），先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器，逆变部分为IGBT三相桥式逆变器，且输出为PWM波形，中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。

2009/10/16
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第二章半导体三极管_模拟电路: 第二章半导体三极管_模拟电路!

2009/9/30
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第一章半导体二极管_模拟电路: 模拟电路_张增良_第一章半导体二极管!本课程共有十一章的内容，分别是：半导体二极管和三极管，基本放大电路，多级放大电路及放大电路的频率特性，场效应管及其放大电路，集成运算放大器基础，负反馈放大电路，集成运算放大器的应用，正弦波振荡电路，功率放大电路，直流稳压电源，模拟电子电路的读图。

2009/9/30
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固体图像传感器—电耦合器件CCD_光电技术: 光电技术!主讲：杨应平!固体图像传感器—电耦合器件CCD!组成电荷耦合器件的基本元件(光敏元件)是电荷贮存电容器。它与电子线路中的金属氧化物半导体电容器(MOS)电路非常相似，见图sh16.1。MOS是由金属、氧化层（绝缘层）、P型半导体三层材料组成的器件。电偶合器件的基本单元内金属层做成电极，在P型半导体上加上正电压（VG）并达到某个特定值（Vh）后，在半导体层内会形成一个电荷贮存区（也叫位阱），这时，如有光照，则该区内会有电荷积累，且其电荷数量与光辐射强度成正比。每一个电荷贮存电容器中电荷贮存区所积累的电荷，与相应像元的光强相对应成正比，那么所有元件电荷贮存的分布情况便对应于观测对像的一个二维电子潜像。

2009/9/28
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三菱电机企业宣传片: 作为引领全球市场的机电产品综合供应商，三菱电机在中国的FA事业随着中国经济的蓬勃发展蒸蒸日上。从社会基础设施建设领域到半导体制造等高科技产业，从现场控制到远程监控，三菱电机FA技术为创造更快生产效率和更高生产力提供强大的支持。

2009/6/29
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