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模拟电子技术基础(24-25): （1）逻辑相邻项：它可描述为在两个与或逻辑中，除某个因子互为非外，其余的因子都相同。（2）逻辑最小项：它可描述为在给定变量数目的逻辑函数中，所有变量参加相与的项。在某一个最小项中每个变量只能以原变量或反变量的形式出现一次。逻辑最小项的性质是：全部最小项之和为“1”；两个不同的最小项之积为“0”； n变量有2n项最小项。（3）最小项标准式：全是最小项组成的“与或”式。

电路原理(23-24): 对称三相电路计算方法及特点！对称三相电路的线电压、相电压以及线电流、相电流之间有效值及相位的关系，对称三相电路化成一相电路计算的方法，都要熟练掌握。不对称电路的计算，三相功率及测量等问题，在学习过程中应予以重视。 3．学习本章的目的，可为后续的三相电机打基础。此外，也可了解电力系统供用电的基础知识。

用以太网下载S7-200程序-西门子PLC的其他应用技术例程7: 西门子PLC的其他应用技术 318 6.1 程序的下载方法 318 6.1.1 S7-200 PLC的程序下载方法 318 6.1.2 S7-300 PLC的程序下载方法 335 6.2 西门子PLC的故障诊断 343 6.2.1 S7-300 PLC使用状态和用出错LED进行诊断 343 6.2.2 使用STEP7的软件诊断功能进行硬件诊断 344 6.2.3 外部故障的排除方法 355 6.3 高速计数器的应用 358 6.3.1 高速计数器简介 358 6.3.2 高速计数器在转速测量中的应用 361 6.4 仿真软件的应用 363 6.4.1 S7-200 PLC的仿真软件的使用 364 6.4.2 S7-300 PLC的仿真软件的使用 365

电路原理(21-22): 电路原理(21-22)载流线圈之间通过彼此的磁场相互联系的物理现象称为磁耦合。根据两个线圈的绕向、施感电流的参考方向和两线圈的相对位置，按右螺旋法则确定施感电流产生的磁通方向和彼此交链的情况，如图：线圈L中电流穿越自身所产生的磁通链为Q11，即自感磁通链；Q11中的一部分或者全部交链线圈K时产生的磁通链为Q21，即互感磁通链；同样线圈K中的电流产生的自感磁通链为Q22和互感磁通链Q12，这就是彼此的耦合情况。

模拟电子技术基础(22-23): 具有约束条件的逻辑函数化简！逻辑函数化简的基本原则逻辑函数化简，没有严格的原则，它一般是依以下几个方面进行：逻辑电路所用的门最少；各个门的输入端要少；逻辑电路所用的级数要少；逻辑电路要能可靠的工作。这几条常常是互相矛盾的，化简要根据实际情况来进行。下面我们来用例题说明一下：例1：化简函数F=AB+CD+AB+CD，并用基本逻辑门实现。（1）先化简逻辑函数 F=AB+CD+AB+CD=A（B+B）+D（C+C）=A+D （2）用逻辑门实现：（由化简来看只需一个与门）二：逻辑函数的形式和逻辑变换逻辑函数的形式很多，一个逻辑问题可以用多种形式的逻辑函数来描述。逻辑函数的表达式可分为五种： 1."与或"表达式2."或与"表达式3."与非"表达式4."或非"表达式5."与或非"表达式。这几种表达式之间可以互相转换，应根据要求把逻辑函数化简成我们所需要的形式。

模拟电子技术基础(20-21): 逻辑图英文名称：logic diagram定义：主要用二进制逻辑单元图形符号所绘制的电路简图。逻辑图由许多逻辑图形符号构成。它与真值表及表达式一样，是描述逻辑函数的一种方法。　　z=x+y 　　x=ab 　　y=ac

模拟电子技术基础(18-19): RAM的一般结构和读写过程1.RAM的一般结构它由三部分电路组成：1)行、列地址译码器：它是一个二进制译码器，将地址码翻译成行列对应的具体地址，然后去选通该地址的存储单元，对该单元中的信息进行读出操作或进行写入新的信息操作。例如：一个10位的地址码A4A3A2A1A0=00101，B4B3B2B1B0=00011时，则将对应于第5行第3列的存储单元被选中。 2)存储体：它是存放大量二进制信息的“仓库”，该仓库由成千上万个存储单元组成。而每个存储单元存放着一个二进制字信息，二进制字可能是一位的，也可能多位。存储体或RAM的容量：存储单元的个数*每个存储单元中数据的位数。例如，一个10位地址的RAM，共有210个存储单元，若每个存储单元存放一位二进制信息，则该RAM的容量就是210(字)×1(位)=1024字位，通常称1K字位(容量)。 3)I/O及读/写控制电路：该部分电路决定着存储器是进行读出信息操作还是写入新信息操作。输入/输出缓冲器起数据的锁存作用，通常采用三态输出的电路结构。因此，RAM可以与其它的外面电路相连接，实现信息的双向传输(即可输入，也可输出)，使信息的交换和传递十分方便。模拟电子技术基础!主讲：王小海。