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连续ARQ协议-计算机网络基础(9-10): 连续ARQ协议.自动重传请求（Automatic Repeat-reQuest，ARQ）是OSI模型中数据链路层的错误纠正协议之一。它包括停止等待ARQ协议和连续ARQ协议，錯誤偵測（Error Detection）、正面確認（Positive Acknowledgment）、逾時重傳（Retransmission after Timeout）與負面確認繼以重傳（Negative Acknowledgment and Retransmission）等機制。

2009/10/27
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直流电机的工作原理及特性-机电传动控制第4讲: 第3章　直流电机的工作原理及特性 3.1　直流电机的基本结构和工作原理　 3.1.1　直流电机的基本结构 3.1.2　直流电机的基本工作原理 3.2　直流发电机 3.2.1　他励发电机 3.2.2　并励发电机 3.2.3　复励发电机

2009/10/27
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现代通信原理与技术(第32讲): 量化器动态范围，非均匀量化。Quantization (量化) 将输入信号的连续范围划分成若干个不重叠的子区，每一个子区指定一个离散值，信号位于给定子区时，提供一个与之相应的离散值输出。所谓量化，就是把经过抽样得到的瞬时值将其幅度离散，即用一组规定的电平，把瞬时抽样值用最接近的电平值来表示。按照量化级的划分方式分，有均匀量化和非均匀量化。均匀量化：ADC输入动态范围被均匀地划分为2^n份。非均匀量化：ADC输入动态范围的划分不均匀，一般用类似指数的曲线进行量化。非均匀量化是针对均匀量化提出的，因为一般的语音信号中，绝大部分是小幅度的信号，且人耳听觉遵循指数规律。为了保证关心的信号能够被更精确的还原，我们应该将更多的bit用于表示小信号。常见的非均匀量化有A律和μ率等，它们的区别在于量化曲线不同。

2009/10/27
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MEMS继电器 ME-X动画演示: 精密复合超小型技术系统 PIMITES放大高密度贴装于IC测试仪及测量仪器电路板上的“ME-X”，并通过CG图像显示了根据衔铁跷跷板平衡结构运动而形成的信号流动情况。MEMS继电器 ME-X融合了松下电工长期以来培育的机械继电器技术与ＭＥＭＳ技术的、米粒大小的ＭＥＭＳ高频继电器具有长4.0mm、宽2.5mm、高1.3mm的超小型尺寸、100mw的低耗电量最大的特点是，通过采用电磁驱动方式，确保了高可靠性由于满足最大6GHz的高频带宽，因此可以用于ＩＣ测试仪及测量仪器 .

2009/10/26
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单轴加速度传感器 GS1(静电容量方式)动画演示: 这个CG图像显示了施加加速度后、砝码的运动情况。单轴加速度传感器 GS1(静电容量方式)是通过施加加速度，使砝码产生运动，导致电极板梳齿间的静电容量发生变化，并将这一变化转换成电压输出的传感器将温度引起的灵敏度、偏置电压的偏差控制在了最小限度，并通过与数字微调专用ＩＣ组合，实现了高精度的加速度检测主要用于汽车导航系统及侧滑防止装置等的车载用途及液晶投影仪的修正及电梯等的民用用途 .

2009/10/26
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机电传动系统的负载特性-机电传动控制第3讲: 机电传动系统的负载特性 2.3.1　恒转矩型负载特性 2.3.2　离心式通风机型负载特性 2.3.3　直线型负载特性 2.3.4　恒功率型负载特性 2.4　机电传动系统稳定运行的条件

2009/10/26
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标准形式逻辑函数_数字逻辑电路4: 逻辑函数的一般表示形式:1.与或表达式（SOP form) 在函数表达式中，包含若干个与项，每个与项中各变量以原变量或反变量的形式出现，每个与项之间以或的形式相连，这种表达式即与或表达式。2.或与表达式(POS form)一个函数表达式，包含若干个或项，其中每个或项可有一个或多个变量，每个变量以原变量或反变量形式出现，这些或项以逻辑与的形式连在一起，形成了或与表达式。

2009/10/26
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差分放大器_集成电路原理与设计: 差分放大器_集成电路原理与设计陈中建副教授主进.本节讲述差分放大器简介，简单差分放大器，基本差分放大器，MOS管做负载的差分放大器。差分放大器是一种将两个输入端电压的差以一固定增益放大的电子放大器，有时简称为“差放”。差分放大器通常被用作功率放大器（简称“功放”）和发射极耦合逻辑电路 (ECL, Emitter Coupled Logic) 的输入级。

2009/10/26
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CMOS集成电路闩锁效应_集成电路原理与设计: 集成电路原理与设计贾嵩副教授主讲。CMOS集成电路闩锁效应的行成；防止闩锁效应的措施。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。防御措施：　　1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。　　2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。　　3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。　　4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

2009/10/25
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动力学基础-机电传动控制第2讲: 机电传动系统的动力学基础! 2.1　机电传动系统的运动方程式　2.2　负载转矩、转动量和飞轮转矩的折算 2.2.1　负载转矩的折算 2.2.2　转动惯量和飞轮转矩的折算 2.3　机电传动系统的负载特性

2009/10/23
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