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固定等效电路_电工学(38): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!等效电路图等效电路图就是将一个复杂的电路通过适当的方法改画出简单的串联、并联的电路。这个简单的电路，叫作原复杂电路的等效电路图。等效电路图主要有下列这么几种: 　　1)交流等效电路　　这一等效电路只画出原电路中与交流信号相关的电路，省去了直流电路,这在分析交流电路时要用到。画交流等效电路时，要将原电路中的耦合电容看成通路,将线圈看成开路。　　2)直流等效电路　　这一等效电路只画出原电路中与直流相关的电路，省去了交流电路,这在分析直流电路时才用到。画直流等效电路时，要将原电路中的电容看成开路，而将线圈看成通路。　　3)元器件等效电路

2010/4/29
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第3章(14)：单片机硬件系统MCS51指令系统: 巩固新课： 1、汇编语言有何种特点？指令格式？ 2、MCS—51系列机共有多少条指令？分几类？ 3、MCS—51系列汇编语言指令有几种寻址方式？

2010/4/28
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微变等效电路分析法_电工学(37): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!微变等效电路分析法,是一种线性化的分析方法，它的基本思想是：把晶体管用一个与之等效的线性电路来代替，从而把非线性电路转化为线性电路，再利用线性电路的分析方法进行分析。当然，这种转化是有条件的，这个条件就是“微变”，即变化范围很小，小到晶体管的特性曲线在Q点附近可以用直线代替。这里的“等效”是指对晶体管的外电路而言，用线性电路代替晶体管之后，端口电压、电流的关系并不改变。由于这种方法要求变化范围很小，因此，输入信号只能是小信号，一般要求vbe（即vi）≤10mV。这种分析方法，只适用于小信号电路的分析，且只能分析放大电路的动态。

2010/4/28
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三级管放大电路的静态分析_电工学(36): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!晶体三极管的三种工作状态　　截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。　　放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。　　饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。　　根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

2010/4/28
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三极管的输出特性_电工学(35): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!三极管的主要参数 a. 特征频率fT 　　:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流　　用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE 　　电流放大倍数. d. VCEO 　　集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM 　　最大允许耗散功率. f. 封装形式　　指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.

2010/4/27
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第3章(13)：单片机硬件系统MCS51指令系统: 巩固新课： 1、汇编语言有何种特点？指令格式？ 2、MCS—51系列机共有多少条指令？分几类？ 3、MCS—51系列汇编语言指令有几种寻址方式？

2010/4/27
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第3章(11)：单片机硬件系统MCS51指令系统: 寻址方式寻找操作数存放单元的地址的方式，共6种方式。 1、立即数寻址所要找的操作数是一二进制数或十进制数，出现在指令中，用“#”作前缀 MOV A，#20H 2、寄存器寻址操作数存放在工作寄存器R0 ~ R7中，或寄存器B中。 MOV A，R2 3、直接寻址指令中直接给出操作数的地址。 MOV A，30H MOV 30H，DPH 4、寄存器间接寻址指令中寄存器的内容作为操作数存放的地址，指令中间接寻址寄存器前用 “@”表示前缀。举“两个抽屉，两把钥匙”的例子。 MOV R0，#30H MOV A，@R0 MOV A，#20H MOV R1，#40H MOV @R1，A 5、变址寻址操作数地址 = 变地址 + 基地址基地址寄存器 DPTR 或 PC 变址寄存器 @A 该寻址方式常用于访问程序存储器，查表。 MOV A，@A + DPTR 6、相对寻址把指令中给定的地址偏移量与本指令所在单元地址（PC内容）相加得到真正有效的操作数所存放的地址。举“李同学20岁，张同学比李同学大3岁”的例子。 JC 60H ；设（PC） = 2000H，则当C = 1时，转移的目的地址 = （PC）+ 2 + 60H

2010/4/26
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第3章(12)：单片机硬件系统MCS51指令系统: 寻址方式寻找操作数存放单元的地址的方式，共6种方式。 1、立即数寻址所要找的操作数是一二进制数或十进制数，出现在指令中，用“#”作前缀 MOV A，#20H 2、寄存器寻址操作数存放在工作寄存器R0 ~ R7中，或寄存器B中。 MOV A，R2 3、直接寻址指令中直接给出操作数的地址。 MOV A，30H MOV 30H，DPH 4、寄存器间接寻址指令中寄存器的内容作为操作数存放的地址，指令中间接寻址寄存器前用 “@”表示前缀。举“两个抽屉，两把钥匙”的例子。 MOV R0，#30H MOV A，@R0 MOV A，#20H MOV R1，#40H MOV @R1，A 5、变址寻址操作数地址 = 变地址 + 基地址基地址寄存器 DPTR 或 PC 变址寄存器 @A 该寻址方式常用于访问程序存储器，查表。 MOV A，@A + DPTR 6、相对寻址把指令中给定的地址偏移量与本指令所在单元地址（PC内容）相加得到真正有效的操作数所存放的地址。举“李同学20岁，张同学比李同学大3岁”的例子。 JC 60H ；设（PC） = 2000H，则当C = 1时，转移的目的地址 = （PC）+ 2 + 60H

2010/4/26
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单片机原理与接口技术(8): 单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式

2010/4/25
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单片机原理与接口技术(7): 单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式

2010/4/23
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