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三级管放大电路的静态分析_电工学(36)
电大教程,北京理工大学刘蕴陶教授主讲!晶体三极管的三种工作状态   截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。   放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。   饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。   根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别三极管的工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压,从而判别三极管的工作情况和工作状态。
  1. 2010/4/28
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三极管的输出特性_电工学(35)
电大教程,北京理工大学刘蕴陶教授主讲!三极管的主要参数 a. 特征频率fT   :当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流   用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE   电流放大倍数. d. VCEO   集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM   最大允许耗散功率. f. 封装形式   指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
  1. 2010/4/27
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单片机原理与接口技术(8)
单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式
  1. 2010/4/25
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单片机原理与接口技术(7)
单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式
  1. 2010/4/23
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单片机原理与接口技术(6)
单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式
  1. 2010/4/22
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单片机原理与接口技术(5)
单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式
  1. 2010/4/21
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稳压管_电工学(33)
电大教程,北京理工大学刘蕴陶教授主讲! 稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.
  1. 2010/4/21
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单片机原理与接口技术(3)
单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式
  1. 2010/4/20
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单片机原理与接口技术(4)
单片机原理与接口技术,浙江大学高峰主讲!80C51单片微机的基本结构 2.1 80C51单片微机的内部结构 2.2 80C51单片微机的引脚及其功能 2.3 80C51CPU的结构和特点 2.3.1 中央控制器 2.3.2 运算器 2.3.3 时钟电路及CPU的工作时序 2.4 80C51存储器结构和地址空间 2.4.1 程序存储器 2.4.2 内部数据存储器 2.4.3 片外数据存储器 2.5 80C51 并行输入/输出端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 80C51布尔(位)处理器 2.7 80C51单片微机的工作方式 2.7.1 复位方式 2.7.2 程序执行方式 2.7.3 低功耗工作方式 2.7.4 编程方式
  1. 2010/4/20
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异步电动机的继电-接触器控制_电工学(30)
电大教程,北京理工大学刘蕴陶教授主讲! 异步电动机的继电-接触器控制,异步电动机的继电接触控制:了解交流接触器、热继电器、时间继电器和按钮等常用控制电器的用途及使用方法。熟悉鼠笼式电动机基本控制电路的工作原理、接线与操作方法。
  1. 2010/4/19
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