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多级放大器_电工学(39): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!多级放大器一,组成方式: 实现对微弱信号的放大电路要求: 输入级输入电阻高对信号源影响小中间级高增益输出级损耗小功率放大二,多级放大器的三种级间耦合方式 1,耦合定义变压器耦合 3,常用的耦合方式保证信号在传输过程中失真小多级放大器中级与级间的连接方式 2. 耦合要求保证信号的传输效率阻容耦合直接耦合阻容耦合

2010/4/30
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固定等效电路_电工学(38): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!等效电路图等效电路图就是将一个复杂的电路通过适当的方法改画出简单的串联、并联的电路。这个简单的电路，叫作原复杂电路的等效电路图。等效电路图主要有下列这么几种: 　　1)交流等效电路　　这一等效电路只画出原电路中与交流信号相关的电路，省去了直流电路,这在分析交流电路时要用到。画交流等效电路时，要将原电路中的耦合电容看成通路,将线圈看成开路。　　2)直流等效电路　　这一等效电路只画出原电路中与直流相关的电路，省去了交流电路,这在分析直流电路时才用到。画直流等效电路时，要将原电路中的电容看成开路，而将线圈看成通路。　　3)元器件等效电路

2010/4/29
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微变等效电路分析法_电工学(37): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!微变等效电路分析法,是一种线性化的分析方法，它的基本思想是：把晶体管用一个与之等效的线性电路来代替，从而把非线性电路转化为线性电路，再利用线性电路的分析方法进行分析。当然，这种转化是有条件的，这个条件就是“微变”，即变化范围很小，小到晶体管的特性曲线在Q点附近可以用直线代替。这里的“等效”是指对晶体管的外电路而言，用线性电路代替晶体管之后，端口电压、电流的关系并不改变。由于这种方法要求变化范围很小，因此，输入信号只能是小信号，一般要求vbe（即vi）≤10mV。这种分析方法，只适用于小信号电路的分析，且只能分析放大电路的动态。

2010/4/28
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三级管放大电路的静态分析_电工学(36): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!晶体三极管的三种工作状态　　截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。　　放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。　　饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。　　根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

2010/4/28
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三极管的输出特性_电工学(35): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!三极管的主要参数 a. 特征频率fT 　　:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流　　用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE 　　电流放大倍数. d. VCEO 　　集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM 　　最大允许耗散功率. f. 封装形式　　指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.

2010/4/27
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三级管的电流放大作用原理_电工学(34): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲!三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。　　三极管放大时管子内部的工作原理　　1、发射区向基区发射电子　　电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。　　2、基区中电子的扩散与复合　　电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。　　3、集电区收集电子　　由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

2010/4/22
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稳压管_电工学(33): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲! 稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.

2010/4/21
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异步电动机的继电-接触器控制_电工学(30): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲! 异步电动机的继电-接触器控制,异步电动机的继电接触控制:了解交流接触器、热继电器、时间继电器和按钮等常用控制电器的用途及使用方法。熟悉鼠笼式电动机基本控制电路的工作原理、接线与操作方法。

2010/4/19
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本征半导体_电工学(32): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲! 电子技术基础，半导体，基本放大电路。完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。 1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高（例如室温300oK）或受到光照等外界因素的影响，某些共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴，如图2—3（a）所示。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电，与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。

2010/4/19
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转子电路_电工学(26): 电大教程，北京理工大学刘蕴陶教授主讲! 转子电路,转子绕组直接引入随转子频率而变化的附加电势Ef ，在工程上曾是一个复杂的技术难题。随着电力电子技术的发展，大功率器件的出现，这一难题才得到顺利解决。利用电力电子技术进行转子变频的基本原理是将转子电势进行整流，在直流侧引入附加电势，通过整流电路大功率器件的轮流导通，将直流附加电势交替加入转子各相绕组，使之变为交流附加电势，并与转子频率一致，即实现了附加电势从零频率到转子电势频率的变换。

2010/4/14
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