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模拟电子技术基础(18-19)
RAM的一般结构和读写过程1.RAM的一般结构它由三部分电路组成:1)行、列地址译码器:它是一个二进制译码器,将地址码翻译成行列对应的具体地址,然后去选通该地址的存储单元,对该单元中的信息进行读出操作或进行写入新的信息操作。 例如:一个10位的地址码A4A3A2A1A0=00101,B4B3B2B1B0=00011时,则将对应于第5行第3列的存储单元被选中。 2)存储体:它是存放大量二进制信息的“仓库”,该仓库由成千上万个存储单元组成。而每个存储单元存放着一个二进制字信息,二进制字可能是一位的,也可能多位。 存储体或RAM的容量:存储单元的个数*每个存储单元中数据的位数。 例如,一个10位地址的RAM,共有210个存储单元,若每个存储单元存放一位二进制信息,则该RAM的容量就是210(字)×1(位)=1024字位,通常称1K字位(容量)。 3)I/O及读/写控制电路:该部分电路决定着存储器是进行读出信息操作还是写入新信息操作。输入/输出缓冲器起数据的锁存作用,通常采用三态输出的电路结构。因此,RAM可以与其它的外面电路相连接,实现信息的双向传输(即可输入,也可输出),使信息的交换和传递十分方便。 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/12/30
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模拟电子技术基础(16-17)
功率放大电路的特点和基本类型 一、 主要特点 1. 由于输出电压或输出电流的幅度较大,功率放大电路必须工作在大信号条件下,因而容易产生非线性失真。如何尽量减小输出信号的失真是首先要考虑的问题。 2. 输出信号功率的能量来源于直流电源,应该考虑转换的效率。 3.半导体器件在大信号条件下运用时,电路中应考虑器件的过热、过流、过压、散热等一系列问题,因此要有适当的保护措施。 二、 基本类型 功率放大电路主要有互补对称式和变压器耦合推挽式两种类型。 1、互补对称式2.变压器耦合推挽式 变压器耦合的突出优点是,通过改变变压器的变比,能找到一个最佳的等效负载(此时输出功率最大,且不失真)。并且,在不提高电源电压的条件下,可以使输出电压的幅度Vom超过电源电压。 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/12/10
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模拟电子技术基础(14-15)
可编程逻辑器件(PLD) 一、二极管构成的熔丝型可编程门阵列 一个逻辑问题可以用简化的“与或”表达式描述,因此,只要设想用一个能产生各种“与”项的“与阵列”和一个能将各“与”项实现相“或”的“或阵列”组合起来,就能设计各种逻辑电路了。下图是用二极管和熔丝实现编程的“与”阵和“或”阵电路。如何实现编程:对与阵,只需将和二极管正极端连的熔丝接地,然后加上编程电压(电源5V时,编程电压为25V),此时,相应熔丝将流过比正常电流大得多的电流而被熔断,其它保留。对或阵,将和二极管负极端连的熔丝接正电源,将熔丝熔断。 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/12/9
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模拟电子技术基础(12-13)
集成运放应用时应考虑的几个问题 运放类型: 1. 通用型:其性能指标适合于一般性使用,产品量大面广; 2. 低功耗型:静态功耗在1mw左右,可用于便携设备; 3. 高精度型:失调电压温漂在1μV以下; 4. 高速型:转换速率在10V/μs左右; 5. 高阻型:输入电阻在1012Ω左右; 6. 宽带型:单位增益带宽在10MHz左右; 7. 高压型:允许供电电压在±30V以上; 8. 功率型:允许的电源电压较高,输出电流较大; 9. 跨导型:输入量为电压,输出为电流; 10. 差动电流型:输入为差分电流,输出为电压; 11.其它:如程控型、电压跟随型等。 选择集成运放时注意的问题:不要盲目追求指标先进;应尽量选择通用型运放;应考虑能避免冲击电压和电流的保护措施;要注意单元之间的输出电平配合问题;要注意性能指标的测量条件;在弱信号条件下使用时,应注意噪声系数不能太大。 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/12/6
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模拟电子技术基础(10-11)
集成运算放大器 集成运算放大器是集成运算放大器是通过半导体集成工艺制成的一种高增益直接耦合式多级放大器,它是非常重要的一种线性集成电路,应用十分广泛。它用在模拟信号的运算、放大、检测、变换、处理、信号产生等等场合。 本章通过介绍集成运算放大器的典型结构及特点、集成运放的组成、集成运放的特性和主要性能指标等内容,系统地学习集成运算放大器。要求学生熟练掌握本章的内容。运放的典型电路通常有三级放大电路组成。 运放输入级:—差分放大(差动放大器)电路,该级要求有低温漂,高共模抑制比和高输入电阻特性。 中间放大级:通常采用CE(CS)放大电路,运算放大器的增益主要由这一级承担,所以这一级要有很高的电压增益。 输出级:采用互补对称式射极跟随器结构。输出级要求能驱动较大的负载,有一定的输出电流和输出电压,因此,对该级要求具有低输出电阻。 二、集成运放的主要特点 1. 它具有“二高一低”特性的线性组件。即高增益、高输入电阻、低输出电阻的多级直接耦合放大器。 2. 为保证有合适的静态工作点,并低功耗,电路采用微电流源作为偏置,放大电路负载采用有源负载,以提高电压增益。 3. 在理想条件下,集成运算放大器可以看成一个电压控制电压源来等效(VCVS)。集成运放的电路符号: 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/12/3
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模拟电子技术基础(8-9)
集成电路中的电子器件 本章介绍了集成电路中的电子器件。主要介绍复合管、多发射集管、多集电极管和肖特基三极管的结构,连接原则,以及常用电路。集成电路是将三极管、二极管、电阻、电容等元器件以及电路中的连接线集中制作在同一块芯片上,完成各种功能的电子电路。 集成电路特点: 1.实现材料、元器件、电路的有机结合。 2.元件密度高、体积小、连线短、焊点少。 3.采用隔离技术。 4.不能制作电感、大容量电容。 复合管是将两只或以上的三极管按一定方式相连,等效为性能更好的三极管。又称达林顿管Darlington。复合管连接原则:连接后各管内电流能顺利流通,且具有电流放大作用。 复合管特点: 1.等效管类型取决于前置管类型。 2.等效管β近似β1、β2的乘积:β≈β1β2。 3.同样输出电流时,等效管的输入电流大大减小。 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/12/1
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模拟电子技术基础(6-7)
三极管放大电路的组成原理一、放大电路的组成与各元件的作用 Rb和Rc:提供适合偏置--发射结正偏,集电结反偏。C1、C2是隔直(耦合)电容,隔直流通交流。射放大电路 Vs ,Rs:信号源电压与内阻; RL:负载电阻,将集电极电流的变化△ic转换为集电极与发射极间的电压变化△VCE 二、放大电路的基本工作原理 静态(Vi=0,假设工作在放大状态) 分析,又称直流分析,计算三极管的电流和极间电压值,应采用直流通路(电容开路)。 基极电流:IB=IBQ=(VCC-VBEQ)/Rb 集电极电流:IC=ICQ=βIBQ 集-射间电压:VCE=VCEQ=VCC-ICQRc 动态(vi≠0)分析: 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/11/24
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模拟电子技术基础(4-5)
场效应管及其电路分析 场效应管拾电场控制器件。 本章介绍场效应晶体管的结构、特性和参数,以及场效应管放大电路。 要求学生了解场效应管的结构,导电机理,它的外特性。熟练掌握放大电路的组成原理,能够独立的进行电路分析。 场效应管FET(Field Effect Transistor):具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点。 场效应管分类: 1.绝缘栅型IGFET (Insulted Gate Type)或MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 2.增强型MOS (Enhancement) 3.耗尽型MOS (Depletion) 4.结型JFET (Junction Type) 每一种又可分为N沟道和P沟道管子。 三种基本组态:共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG) 场效应管组成放大电路的原则和方法与晶体管相同:为使场效应管正常工作,各电极间必须加上合适的偏置电压;为了实现不失真放大,也同样需要设置合适且稳定的静态工作点。场效应管是一种电压控制器件,所以它的偏置电路有其自身的特点。不同FET类型对偏置电压的要求:FET偏置电路类型:1.固定偏置电路;2.自偏压偏置电路;3.分压式自偏压电路 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/11/20
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模拟电子技术基础(2-3)
半导体三极管及其电路分析 本章介绍半导体三极管的结构、特性和参数,以及半导体放大电路的组成原理,三极管电压传输特性和静态工作点。 要求学生了解晶体三极管的结构,导电机理,它的外特性。熟练掌握放大电路的组成原理,能够独立的进行电路分析。 半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由2个背靠背的PN结组成,分为 NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。 NPN型三极管:c:collector 集电极;b:base 基极;e:emitter 发射极!工艺特点:三个区,二个结,引出三根电极杂质浓度(e区掺杂浓度最高,b区较高,c 区最低);面积大小( c区最大, e区大, b区窄)。 PNP型三极管:在P+型底层上形成两个PN结。 模拟电子技术基础!主讲:王小海。
  1. 2010/11/19
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从零开始学模拟电子技术[课件]
模拟电子技术是学习电子技术必须掌握的一门基础课,本书就是为使初学者从零开始,快速掌握模拟电子技术知识而编写的。与传统的模拟电子技术基础教材不同的是,本书摈弃了以高等数学的大量的公式计算和定量分析的讲法,注重定性和概念,注重基础知识与实践,并配合计算机仿真软件的仿真实验,使基础知识的学习做到不枯燥,不深奥。本书所介绍的主要知识有:基本放大电路、振荡电路、电源电路、晶闸管整流和触发电路、高频电路等内容,最后介绍模拟电路检测知识。第一章 二极管基本电路  第一节 半导体基础知识  第二节 普通二级管及其应用  第三节 稳压二极管及其应用 第二章 半导体三检管放大电路  第一节 半导体三极管  第二节 共发射极放大电路  第三节 共集电极和共基极放大电路 第三章 多级放大电路  第一节 多级放大电路概述  第二节 阻容耦合多极放大电路  第三节 变压器耦合多极放大电路  第四节 直接耦合多级放大电路 第四章 放大电路的频率响应  第一节 频率响应基本概念  第二节 放大电路的频率响应 第五章 放大电路的负反馈  第一节 反馈的分类  第二节 四种常见负反馈电路分析  第三节 反馈的一般表达式  第四节 负反馈对放大电路的影响  第五节 负反馈放大自激及校正 第六章 场效应管放大电路
  1. 2010/4/10
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