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怎么看电路图2: 本教程从看电路图的基本方法和步骤入手，分别讲解了怎样看电动机及生产机械装置电气控制电路图、电力系统图、电子电路图、建筑电气平面图以及可编程序控制器（PC）梯形图和指令语句表，内容系统全面，制作图文并茂，适于农村、乡镇企业电工培训和电工等级考试辅导，也适于广大电气技术人员自学参考。电子技术高级工程师郑凤翼主讲。

2009/10/29
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怎么看电路图1: 本教程从看电路图的基本方法和步骤入手，分别讲解了怎样看电动机及生产机械装置电气控制电路图、电力系统图、电子电路图、建筑电气平面图以及可编程序控制器（PC）梯形图和指令语句表，内容系统全面，制作图文并茂，适于农村、乡镇企业电工培训和电工等级考试辅导，也适于广大电气技术人员自学参考。电子技术高级工程师郑凤翼主讲。

2009/10/28
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[第15讲]AD温度采集显示: A/D 转换器是模拟信号源和CPU 之间联系的接口，它的任务是将连续变化的模拟信号转换为数字信号，以便计算机和数字系统进行处理、存储、控制和显示。在工业控制和数据采集及许多其他领域中，A/D 转换是不可缺少的。A/D 转换器有以下类型：逐位比较型、积分型、计数型、并行比较型、电压－频率型，主要应根据使用场合的具体要求，按照转换速度、精度、价格、功能以及接口条件等因素来决定选择何种类型。

2009/10/28
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NI LabVIEW工程教育概述: 视频演示：NI LabVIEW工程教育概述 LabVIEW图形化设计使得教育者，研究人员和学生在合并各种课程和研究应用软件时显得更为容易。LabVIEW提供了一个强大的图形化系统设计平台，可以实现交互式学习，演示工程学以及例如实现多核处理应用的合并新技术的能力。学习LabVIEW图形化程序使得教育者和研究人员去学习概念，并且解决复杂的挑战。

2009/10/27
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大学物理(6)_候晓远主讲: 接上一讲。开普勒定律是开普勒发现的关于行星运动的定律。开普勒在1609年发表了关于行星运动的两条定律：开普勒第一定律（椭圆定律）：每一行星沿一个椭圆轨道环绕太阳，而太阳则处在椭圆的一个焦点中。开普勒第二定律（面积定律）：从太阳到行星所联接的直线在相等时间内扫过同等的面积。用公式表示为：SAB=SCD=SEK 1609年，这两条定律发表在他出版的《新天文学》上。 1618年，开普勒又发现了第三条定律：开普勒第三定律（调和定律）：行星绕日一圈时间的平方和行星各自离日的平均距离的立方成正比。用公式表示为：a3/T2=K a=行星公转轨道半长轴 T=行星公转周期 K=常数 1619年，他出版了《宇宙的和谐》一书，介绍了第三定律，他写道：认识到这一真理，这是超出我的最美好的期望的。大局已定，这本书是写出来了，可能当代有人阅读，也可能是供后人阅读的。它很可能要等一个世纪才有信奉者一样，这一点我不管了。开普勒发现的行星运动定律改变了整个天文学，彻底摧毁了托勒密复杂的宇宙体系，完善并简化了哥白尼的日心说。开普勒定律为伊萨克·牛顿发现万有引力定律奠定了基础。

2009/10/27
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直流电机的工作原理及特性-机电传动控制第4讲: 第3章　直流电机的工作原理及特性 3.1　直流电机的基本结构和工作原理　 3.1.1　直流电机的基本结构 3.1.2　直流电机的基本工作原理 3.2　直流发电机 3.2.1　他励发电机 3.2.2　并励发电机 3.2.3　复励发电机

2009/10/27
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MEMS继电器 ME-X动画演示: 精密复合超小型技术系统 PIMITES放大高密度贴装于IC测试仪及测量仪器电路板上的“ME-X”，并通过CG图像显示了根据衔铁跷跷板平衡结构运动而形成的信号流动情况。MEMS继电器 ME-X融合了松下电工长期以来培育的机械继电器技术与ＭＥＭＳ技术的、米粒大小的ＭＥＭＳ高频继电器具有长4.0mm、宽2.5mm、高1.3mm的超小型尺寸、100mw的低耗电量最大的特点是，通过采用电磁驱动方式，确保了高可靠性由于满足最大6GHz的高频带宽，因此可以用于ＩＣ测试仪及测量仪器 .

2009/10/26
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单轴加速度传感器 GS1(静电容量方式)动画演示: 这个CG图像显示了施加加速度后、砝码的运动情况。单轴加速度传感器 GS1(静电容量方式)是通过施加加速度，使砝码产生运动，导致电极板梳齿间的静电容量发生变化，并将这一变化转换成电压输出的传感器将温度引起的灵敏度、偏置电压的偏差控制在了最小限度，并通过与数字微调专用ＩＣ组合，实现了高精度的加速度检测主要用于汽车导航系统及侧滑防止装置等的车载用途及液晶投影仪的修正及电梯等的民用用途 .

2009/10/26
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CMOS集成电路闩锁效应_集成电路原理与设计: 集成电路原理与设计贾嵩副教授主讲。CMOS集成电路闩锁效应的行成；防止闩锁效应的措施。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。防御措施：　　1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。　　2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。　　3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。　　4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

2009/10/25
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文本文件格式-INI,XML_NI网络讲坛《名家偶得》系列: 文本文件格式-INI,XML_NI网络讲坛《名家偶得》系列.NI专家阮奇桢专题视频系列，主要介绍了两种文件存储格式，并且用软件进行了演示。

2009/10/23
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