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[第16讲] 与热电耦型温度传感器匹配的FX2N-4AD-TC模拟量输入模块
[第16讲] 与热电耦型温度传感器匹配的FX2N-4AD-TC模拟量输入模块
A 与热电耦型温度传感器匹配的FX2N-4AD-TC模拟量输入模块的特点 B 与热电耦型温度传感器匹配的FX2N-4AD-TC模拟量输入模块的性能 C 温控模块和传感器的连接 D 与热电耦型温度传感器匹配的FX2N-4AD-TC模拟量输入模块的温度转换特性 E 与热电耦型温度传感器匹配的FX2N-4AD-TC模拟量输入模块的缓冲存储器（BFM）的分配 F 程序范例。学习更多内容
  1. 2009/11/27
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[第15讲] 与Pt100型温度传感器匹配的FX2N-4AD-PT模拟量输入模块
[第15讲] 与Pt100型温度传感器匹配的FX2N-4AD-PT模拟量输入模块
A 与Pt100型温度传感器匹配的FX2N-4AD-PT模拟量输入模块的特点 B 与Pt100型温度传感器匹配的FX2N-4AD-PT模拟量输入模块的性能 C 与Pt100型温度传感器匹配的FX2N-4AD-PT模拟量输入模块的接线 D 与Pt100型温度传感器匹配的FX2N-4AD-PT模拟量输入模块的温度转换特性 E 与Pt100型温度传感器匹配的FX2N-4AD-PT模拟量输入模块的缓冲存储器（BFM）的分配 F 程序范例。学习更多内容
  1. 2009/11/26
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[第13讲]FX2N-4DA模拟量输出模块2
[第13讲]FX2N-4DA模拟量输出模块2
A FX2N-4DA模拟量输出模块的缓冲存储器（BFM）分配表 B 应用实例。学习更多内容
  1. 2009/11/26
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[第10讲]FX2N-2DA模拟量输出模块1
[第10讲]FX2N-2DA模拟量输出模块1
A FX2N-2DA模拟量输出模块的特点：1）提供12位高精度分辨率；2）2通道电压输出或电流输出；3）对每一通道，可以规定电压或电流输出 B FX2N-2DA模拟量输出模块的性能 C FX2N-2DA模拟量输出模块的接线 D FX2N-2DA模拟量输出模块的输入/输出特性曲线 E FX2N-2DA模拟量输出模块的缓冲存储器（BFM）分配表 F 增益和偏置调整。学习更多内容
  1. 2009/11/26
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[第8讲]FX2N-4AD模拟量输入模块2
[第8讲]FX2N-4AD模拟量输入模块2
A FX2N-4AD模拟量输入模块的缓冲存储器（BFM）分配 B 增益和偏移定义。学习更多内容
  1. 2009/11/26
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[第5讲]FX2N-2AD模拟量输入模块1
[第5讲]FX2N-2AD模拟量输入模块1
A FX2N-2AD模拟量输入模块功能：1）提供12位高精度分辨率；2）2通道电压输入或电流输入 B FX2N-2AD模拟量输入模块性能 C FX2N-2AD模拟量输入模块的接线 D FX2N-2AD模拟量输入模块的输入输出特性 E FX2N-2AD模拟量输入模块缓冲存储器的分配。学习更多内容
  1. 2009/11/26
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[第3讲]FX0N-3A模拟量输入和输出模块2
[第3讲]FX0N-3A模拟量输入和输出模块2
A FX0N-3A模拟量输入和输出模块与PLC的连接 B FX0N-3A模拟量输入和输出模块的输入/输出特性曲线 C FX0N-3A模拟量输入和输出模块的缓冲存储器（BFM）的分配 D FX0N-3A模拟量输入和输出模块的程序范例1：外接输入的模拟量转换成数字量 E FX0N-3A模拟量输入和输出模块的程序范例2：把PLC中的数字量转换成模拟量输出。学习更多内容
  1. 2009/11/26
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MCS-51单片机的硬件结构
MCS-51单片机的硬件结构
第2章 MCS-51单片机的硬件结构.主讲朱兆优 副教授！单片机是由运算器、控制器、存储器、输入设备以及输出设备共五个基本部分组成的。单片机是把包括运算器、控制器、少量的存储器、最基本的输入输出口电路、串行口电路、中断和定时电路等都集成在一个尺寸有限的芯片上。MCS-51单片机芯片内部逻辑结构 　　通过MCS-51单片机内部的逻辑结构图掌握单片机内部的逻辑结构及各个部件的功能与特点。即： 　　中央处理器（CPU）、内部数据存储器、内部程序存储器、定时器/计数器、并行I/O口、串行口、中断控制系统、时钟电路、位处理器、总线。
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MCS-51单片机的中断系统
MCS-51单片机的中断系统
第5章 MCS-51单片机的中断系统.主讲教师：陈坚 副教授.单片机的中断系统简单实用，其基本特点是：有5个固定的可屏蔽中断源，3个在片内，2个在片外，它们在程序存储器中各有固定的中断入口地址，由此进入中断服务程序；5个中断源有两级中断优先级，可形成中断嵌套；2个特殊功能寄存器用于中断控制和条件设置的编程。
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[第17讲]NAND flash 读写
[第17讲]NAND flash 读写
NAND FLASH存储器件有非易失、容量大、功耗低、易擦除等特点，这里就涉及到FLASH的种类问题，NORFLASH和NANDFLASH区别在于：NOR的特点是芯片内执行，即应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。但是工艺复杂，价格比较贵。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。
  1. 2009/10/28
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